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更大的“鬼影”，出现在工艺贯通之后。
当第一片经过光刻、刻蚀、扩散、镀铝的硅片被送到简易探针台下进行电学测试时，所有人都屏住了呼吸。
电压加上去，电流波形却杂乱无章，该导通的地方电阻巨大，该绝缘的地方却又微微漏电。
失败了。
没有意外，只有沉重。
大家默默地看着那片承载了无数希望的硅片，它表面闪烁着金属光泽的图形，此刻仿佛成了一种嘲讽。
宋颜教授主持了第一次失效分析会。
没有责难，只有冷静的追问。
“图形转移完整吗？显微镜检查。”
“检查了，线条清晰，边缘陡直，未见明显钻蚀或残留。”
“掺杂浓度呢？四探针测薄层电阻。”
“数据在这里，符合设计范围，但……均匀性似乎有点波动，边缘偏高。”
“铝硅接触呢？合金化温度和时间是否严格执行？”
“严格执行了，但……接触电阻测试数据离散性很大。”
问题像一团迷雾，笼罩在各个环节。
似乎每个步骤都勉强及格，但叠加起来，就是不及格。
“我们需要‘看见’问题。”宋颜说，“看不见界面，看不见缺陷，我们就是瞎子。”
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